?? 碳化硅单晶炉系统TDL60P - 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

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碳化硅单晶炉系统TDL60P
编号:SN20150801142150212
类别:碳化硅晶体生长炉
  • 产品概述
  • 规格参数
  • 服务支持

    设备用途
    主要用于半导体和LED行业。采用中频感应加热方式正在播放极品美少女-正在播放清纯美少女-正在播放超s级美少女,物理气相传输法生长优质光学晶体。


    设备组成
    本系统采用单室立式双层水冷不锈钢结构。由炉膛正在播放极品美少女-正在播放清纯美少女-正在播放超s级美少女、真空获得及测量系统、籽晶杆拉送系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统正在播放极品美少女-正在播放清纯美少女-正在播放超s级美少女、电控系统等组成。

    技术指标

    型号

    TDL60P

    炉内真空度

    极限真空

    6.6×10-5Pa

    系统抽速

    60分钟内真空度<2×10-3Pa(短时间暴露大气并充入干燥氮气开始抽气

    系统漏率

    停泵关机12小时后真空度≤10Pa

    炉体

    主炉膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副炉膛

    尺寸Ф300×400mm

    转速

    0~30rpm

    提拉速度连续可调范围

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度连续升降可调

    ≥50㎜/min

    有效行程

    390㎜

    坩埚传动机构

    转速

    0~30rpm

    升速范围

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度连续升降可调

    ≥50㎜/min

    有效行程

    560㎜

    额定总功率

    55KW

    循环水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵正在播放极品美少女-正在播放清纯美少女-正在播放超s级美少女、机械泵、插板阀

    占地面积

    主机

    1500×2500mm2

    电控柜

    700×700mm2(一个)

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